A kép forrása: Blikk
Kutatók olyan elemi fizikai kölcsönhatást találtak a fény és a mágnesesség között, amely a számítástechnikai memória következő generációjához vezethet. Az új mechanizmusban egy koncentrált lézersugár képes megváltoztatni egy szilárd anyag mágneses állapotát. A felfedezést egy napon az ultragyors komputermemóriákban lehet hasznosítani.
A tudósok egy új egyenletet fogalmaztak meg, amely leírja a kapcsolatot a fény mágneses mezejének amplitúdója, frekvenciája és egy mágneses anyag energiaelnyelési tulajdonságai között. Az új paradigmát jelent, mert kiemelkedően azonosítja a gyorsan oszcilláló fényhullám mágneses összetevőjének irányító hatását. Az egyenlet leírja ezt a kölcsönhatást. Az MRAM-technológiát érinti, amely egy nem illékony memória, gyakrabban használatos űrhajókon, valamint katonai és ipari alkalmazásokban. A technológia gyorsabb és hatékonyabb memóriaegységek kialakítását teszi lehetővé a jövőben. Az optikai ciklusidő még gyorsabb lehet, mint a hagyományos memóriákban, és a technológia hosszú távon akár a kvantumszámítógépek kvantummemóriájához is vezethet.
